网站首页>产品>SSM3K36MFV,L3F

SSM3K36MFVL3FTR-ND

型号 :
SSM3K36MFV,L3F
制造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
简介 :
MOSFET N-CH 20V 500MA VESM
PDF :
PDF
库存 :
批量库存
单价 :
注册会员查看
数量 : 加入询价
FET 功能 逻辑电平栅极,1.5V 驱动
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 46pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 1.23nC @ 4V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 630 毫欧 @ 200mA,5V
供应商器件封装 VESM
功率 - 最大值 150mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-723
工作温度 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 500mA(Ta)
没有评论
您可以在此与其他用户分享您的想法 ( 字数限制:不少于5个字符 )
您将以游客身份发表评论,如果您是本站会员,可以 [ 点此登录 ]  [ 点此注册 ]
收缩