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SI8802DB-T2-E1CT-ND

型号 :
SI8802DB-T2-E1
制造商 :
Vishay Siliconix
简介 :
MOSFET N-CH 8V MICROFOOT
PDF :
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库存 :
批量库存
单价 :
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数量 : 加入询价
FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
-
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 6.5nC @ 4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 54 毫欧 @ 1A,4.5V
供应商器件封装 4-Microfoot
功率 - 最大值 500mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 4-XFBGA
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 8V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
-
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