网站首页>产品>SI2319CDS-T1-GE3

SI2319CDS-T1-GE3TR-ND

型号 :
SI2319CDS-T1-GE3
制造商 :
Vishay Siliconix
简介 :
MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT-23
PDF :
PDF
库存 :
批量库存
单价 :
注册会员查看
数量 : 加入询价
FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 595pF @ 20V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 21nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 77 毫欧 @ 3.1A,10V
供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)
功率 - 最大值 2.5W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.4A(Tc)
没有评论
您可以在此与其他用户分享您的想法 ( 字数限制:不少于5个字符 )
您将以游客身份发表评论,如果您是本站会员,可以 [ 点此登录 ]  [ 点此注册 ]
收缩