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SSM6J505NULFDKR-ND

型号 :
SSM6J505NU,LF
制造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
简介 :
MOSFET P CH 12V 12A UDFN6B
PDF :
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库存 :
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单价 :
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FET 功能 逻辑电平栅极,1.2V 驱动
FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 2700pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 37.6nC @ 4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 12 毫欧 @ 4A,4.5V
供应商器件封装 6-UDFN(2x2)
功率 - 最大值 1.25W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-WDFN 裸露焊盘
工作温度 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 12V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta)
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