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SQ2310ES-T1_GE3CT-ND
- 型号 :
- SQ2310ES-T1_GE3
- 制造商 :
- Vishay Siliconix
- 简介 :
- MOSFET N-CH 20V 6A SOT23
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- 批量库存
- 单价 :
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| FET 功能 | 标准 |
|---|---|
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 485pF @ 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 8.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 30 毫欧 @ 5A，4.5V |
| 供应商器件封装 | TO-236 |
| 功率 - 最大值 | 2W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 漏源极电压（Vdss） | 20V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 6A（Tc） |
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