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SI3499DV-T1-GE3TR-ND

型号 :
SI3499DV-T1-GE3
制造商 :
Vishay Siliconix
简介 :
MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP
PDF :
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库存 :
批量库存
单价 :
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FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 750mV @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
-
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 42nC @ 4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 23 毫欧 @ 7A,4.5V
供应商器件封装 6-TSOP
功率 - 最大值 1.1W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 8V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.3A(Ta)
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