网站首页>产品>TPHR9003NL,L1Q

TPHR9003NLL1QTR-ND

型号 :
TPHR9003NL,L1Q
制造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
简介 :
MOSFET N-CH 30V 60A 8-SOP
PDF :
PDF
库存 :
批量库存
单价 :
注册会员查看
数量 : 加入询价
FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 6900pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 74nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 0.9 毫欧 @ 30A,10V
供应商器件封装 8-SOP 高级
功率 - 最大值 78W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-PowerVDFN
工作温度 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc)
没有评论
您可以在此与其他用户分享您的想法 ( 字数限制:不少于5个字符 )
您将以游客身份发表评论,如果您是本站会员,可以 [ 点此登录 ]  [ 点此注册 ]
收缩