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2SK2009TE85LFCT-ND

型号 :
2SK2009TE85LF
制造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
简介 :
MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI
PDF :
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库存 :
批量库存
单价 :
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数量 : 加入询价
FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 70pF @ 3V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
-
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 2欧姆 @ 50MA,2.5V
供应商器件封装 SC-59-3
功率 - 最大值 200mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 200mA(Ta)
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