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LND01K1-GDKR-ND
- 型号 :
- LND01K1-G
- 制造商 :
- Microchip Technology
- 简介 :
- MOSFET N-CH 9V 330MA 5SOT-23
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- 库存 :
- 批量库存
- 单价 :
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| FET 功能 | 耗尽模式 |
|---|---|
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） |
|
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 46pF @ 5V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） |
|
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 1.4 欧姆 @ 100mA，0V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-5 |
| 功率 - 最大值 | 360mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74A，SOT-753 |
| 工作温度 | -25°C ~ 125°C（TJ） |
| 漏源极电压（Vdss） | 9V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 330mA（Tj） |
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