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| FET 功能 | 逻辑电平栅极，1.2V 驱动 |
|---|---|
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 100µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 42pF @ 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） |
|
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 1.4 欧姆 @ 150mA，4.5V |
| 供应商器件封装 | CST3C |
| 功率 - 最大值 | 500mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-101，SOT-883 |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 漏源极电压（Vdss） | 20V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 250mA（Ta） |
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