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| FET 功能 | 标准 |
|---|---|
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4.1V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 7180pF @ 50V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 126nC @ 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 3.2 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-262 |
| 功率 - 最大值 | 1.9W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 漏源极电压（Vdss） | 100V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 17.5A(Ta), 140A(Tc) |
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