ES6U3T2CRTR-ND

型号 :
ES6U3T2CR
制造商 :
Rohm Semiconductor
简介 :
MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
PDF :
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库存 :
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单价 :
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FET 功能 二极管(隔离式),逻辑电平门
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 70pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 1.4nC @ 5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 240 毫欧 @ 1.4A,10V
供应商器件封装 6-WEMT
功率 - 最大值 700mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-563,SOT-666
工作温度 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.4A(Ta)
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