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TPH2010FNHL1QCT-ND

型号 :
TPH2010FNH,L1Q
制造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
简介 :
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP
PDF :
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库存 :
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单价 :
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FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 200µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 600pF @ 100V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 7nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 198 毫欧 @ 2.8A,10V
供应商器件封装 8-SOP 高级
功率 - 最大值 42W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-PowerVDFN
工作温度 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 250V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Ta)
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