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TK14G65W5RQDKR-ND

型号 :
TK14G65W5,RQ
制造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
简介 :
MOSFET N-CH 650V 13.7A DPAK
PDF :
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库存 :
批量库存
单价 :
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FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 690µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 1300pF @ 300V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 40nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 300 毫欧 @ 6.9A,10V
供应商器件封装 D2PAK
功率 - 最大值 130W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
工作温度 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 650V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 13.7A(Ta)
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