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| FET 功能 | 耗尽模式 |
|---|---|
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） |
|
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 312pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 12.7nC @ 5V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 4.6 欧姆 @ 400mA，0V |
| 供应商器件封装 | TO-252，（D-Pak） |
| 功率 - 最大值 | 60W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 漏源极电压（Vdss） | 500V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 800mA（Tc） |
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