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| FET 功能 | 碳化硅 （SiC） |
|---|---|
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3V @ 1mA（标准） |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 2560pF @ 1000V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 130nC @ 20V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 100 毫欧 @ 20A，20V |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 功率 - 最大值 | 273W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 漏源极电压（Vdss） | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 41A（Tc） |
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