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RZF013P01TLTR-ND

型号 :
RZF013P01TL
制造商 :
Rohm Semiconductor
简介 :
MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
PDF :
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库存 :
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单价 :
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FET 功能 逻辑电平栅极,1.5V 驱动
FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 290pF @ 6V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 2.4nC @ 4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 260 毫欧 @ 1.3A,4.5V
供应商器件封装 TUMT3
功率 - 最大值 800mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 3-SMD,扁平引线
工作温度 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 12V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.3A(Ta)
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