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SCT2H12NZGC11-ND

型号 :
SCT2H12NZGC11
制造商 :
Rohm Semiconductor
简介 :
MOSFET N-CH 1700V 3.7A
PDF :
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库存 :
批量库存
单价 :
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FET 功能 碳化硅 (SiC)
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 900µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 184pF @ 800V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 14nC @ 18V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1.5 欧姆 @ 1.1A,18V
供应商器件封装 TO-3PFM
功率 - 最大值 35W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-3PFM,SC-93-3
工作温度 175°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 1700V(1.7kV)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.7A(Tc)
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