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CXDM6053N CT-ND

型号 :
CXDM6053N TR
制造商 :
Central Semiconductor Corp
简介 :
MOSFET N-CH 60V 5.3A SOT-89
PDF :
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库存 :
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单价 :
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FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 920pF @ 30V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 8.8nC @ 5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 41 毫欧 @ 5.3A,10V
供应商器件封装 SOT-89
功率 - 最大值 1.2W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-243AA
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.3A(Ta)
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