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| FET 功能 | 碳化硅 （SiC） |
|---|---|
| FET 类型 | Junction Transistor， Normally Off |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） |
|
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 324pF @ 35V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） |
|
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 415 毫欧 @ 4A |
| 供应商器件封装 | TO-276 |
| 功率 - 最大值 | 125W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-276AA |
| 工作温度 | -55°C ~ 225°C（TJ） |
| 漏源极电压（Vdss） | 650V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 4A（Tc）（165°C） |
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