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2SK1119(F)-ND

型号 :
2SK1119(F)
制造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
简介 :
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB
PDF :
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库存 :
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单价 :
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FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 700pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 60nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 3.8 欧姆 @ 2A,10V
供应商器件封装 TO-220AB
功率 - 最大值 100W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
工作温度 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 1000V(1kV)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Ta)
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