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TPC8035-HTE12LQMCT-ND

型号 :
TPC8035-H(TE12L,QM
制造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
简介 :
MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
PDF :
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库存 :
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单价 :
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FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 7800pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 82nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 3.2 毫欧 @ 9A,10V
供应商器件封装 8-SOP(5.5x6.0)
功率 - 最大值
-
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
工作温度 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Ta)
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