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RP1E100RPDKR-ND
- 型号 :
- RP1E100RPTR
- 制造商 :
- Rohm Semiconductor
- 简介 :
- MOSFET P-CH 30V 10A MPT6
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| FET 功能 | 逻辑电平栅极，4V 驱动 |
|---|---|
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 3600pF @ 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 39nC @ 5V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 12.6 毫欧 @ 10A，10V |
| 供应商器件封装 | MPT6 |
| 功率 - 最大值 | 2W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-SMD，扁平引线 |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 漏源极电压（Vdss） | 30V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 10A（Ta） |
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