网站首页>产品>SSM3J14TTE85LF

SSM3J14TTE85LFTR-ND

型号 :
SSM3J14TTE85LF
制造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
简介 :
MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM
PDF :
PDF
库存 :
批量库存
单价 :
注册会员查看
数量 : 加入询价
FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
-
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 413pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
-
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 85毫欧 @ 1.35A,10V
供应商器件封装 TSM
功率 - 最大值 700mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.7A(Ta)
没有评论
您可以在此与其他用户分享您的想法 ( 字数限制:不少于5个字符 )
您将以游客身份发表评论,如果您是本站会员,可以 [ 点此登录 ]  [ 点此注册 ]
收缩