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SSM3J35MFVL3FCT-ND

型号 :
SSM3J35MFV,L3F
制造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
简介 :
MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM
PDF :
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库存 :
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单价 :
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FET 功能 逻辑电平栅极，1.2V 驱动
FET 类型 MOSFET P 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 12.2pF @ 3V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
-
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 8 欧姆 @ 50mA，4V
供应商器件封装 VESM
功率 - 最大值 150mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-723
工作温度 150°C（TJ）
漏源极电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）
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