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QS6J1CT-ND
- 型号 :
- QS6J1TR
- 制造商 :
- Rohm Semiconductor
- 简介 :
- MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
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| FET 功能 | 逻辑电平门 |
|---|---|
| FET 类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 270pF @ 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 3nC @ 4.5V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 215 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| 供应商器件封装 | TSMT6 |
| 功率 - 最大值 | 1.25W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 漏源极电压（Vdss） | 20V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 1.5A |
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