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| FET 功能 | GaNFET（氮化镓） |
|---|---|
| FET 类型 | 3 N 沟道（半桥 + 同步自举） |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 200µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 22pF @ 30V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 0.22nC @ 5V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 190 毫欧 @ 2.5A，5V |
| 供应商器件封装 | 模具 |
| 功率 - 最大值 |
|
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 模具 |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 漏源极电压（Vdss） | 60V，100V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 1.7A，500mA |
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