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917-EPC2108ENGRDKR-ND

型号 :
EPC2108ENGRT
制造商 :
EPC
简介 :
TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
PDF :
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库存 :
批量库存
单价 :
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FET 功能 GaNFET(氮化镓)
FET 类型 3 N 沟道(半桥 + 同步自举)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 200µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 22pF @ 30V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 0.22nC @ 5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 190 毫欧 @ 2.5A,5V
供应商器件封装 模具
功率 - 最大值
-
安装类型 表面贴装
封装/外壳 模具
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 60V,100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.7A,500mA
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