网站首页>产品>EPC2100ENG

917-EPC2100ENG-ND

型号 :
EPC2100ENG
制造商 :
EPC
简介 :
TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE
PDF :
PDF
库存 :
批量库存
单价 :
注册会员查看
数量 : 加入询价
FET 功能 GaNFET(氮化镓)
FET 类型 2 个 N 通道(半桥)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 4mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 380pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 3.5nC @ 15V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 8 毫欧 @ 25A,5V
供应商器件封装 模具
功率 - 最大值
-
安装类型 表面贴装
封装/外壳 模具
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.5A,38A
没有评论
您可以在此与其他用户分享您的想法 ( 字数限制:不少于5个字符 )
您将以游客身份发表评论,如果您是本站会员,可以 [ 点此登录 ]  [ 点此注册 ]
收缩