VT6K1T2CRTR-ND

型号 :
VT6K1T2CR
制造商 :
Rohm Semiconductor
简介 :
MOSFET 2N-CH 20V 0.1A VMT6
PDF :
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库存 :
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单价 :
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FET 功能 逻辑电平栅极,1.2V 驱动
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 7.1pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
-
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 3.5 欧姆 @ 100mA,4.5V
供应商器件封装 VMT6
功率 - 最大值 120mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-SMD,扁平引线
工作温度 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA
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