TT8M1CT-ND

型号 :
TT8M1TR
制造商 :
Rohm Semiconductor
简介 :
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8
PDF :
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库存 :
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单价 :
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FET 功能 逻辑电平栅极,1.5V 驱动
FET 类型 N 和 P 沟道
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 260pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 3.6nC @ 4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 72 毫欧 @ 2.5A,4.5V
供应商器件封装 8-TSST
功率 - 最大值 1W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SMD,扁平引线
工作温度 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A
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