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SSM6L11TU(TE85LF)TR-ND

型号 :
SSM6L11TU(TE85L,F)
制造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
简介 :
MOSFET N/P-CH 20V 0.5A UF6 S
PDF :
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库存 :
批量库存
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 N 和 P 沟道
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 268pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
-
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 145毫欧 @ 250MA,4V
供应商器件封装 UF6
功率 - 最大值 500mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-SMD,扁平引线
工作温度 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 500mA
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