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BSM120D12P2C005-ND

型号 :
BSM120D12P2C005
制造商 :
Rohm Semiconductor
简介 :
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
PDF :
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库存 :
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单价 :
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FET 功能 标准
FET 类型 2 个 N 通道(半桥)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.7V @ 22mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 14000pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
-
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
-
供应商器件封装 模块
功率 - 最大值 780W
安装类型
*
封装/外壳 模块
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A
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