网站首页>产品>MCCD2004-TP

MCCD2004-TPMSDKR-ND

型号 :
MCCD2004-TP
制造商 :
Micro Commercial Co
简介 :
MOSFET 2N-CH 20V 10A
PDF :
PDF
库存 :
批量库存
单价 :
注册会员查看
数量 : 加入询价
FET 功能 标准
FET 类型 2 N 沟道(双)共漏
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 1955pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 18.5nC @ 4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 10 毫欧 @ 8A,10V
供应商器件封装 DFN2030-6
功率 - 最大值
-
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-WFDFN 裸露焊盘
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A
没有评论
您可以在此与其他用户分享您的想法 ( 字数限制:不少于5个字符 )
您将以游客身份发表评论,如果您是本站会员,可以 [ 点此登录 ]  [ 点此注册 ]
收缩