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917-EPC2103ENGRTR-ND

型号 :
EPC2103ENGRT
制造商 :
EPC
简介 :
TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V
PDF :
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库存 :
批量库存
单价 :
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数量 : 加入询价
FET 功能 GaNFET(氮化镓)
FET 类型 2 个 N 通道(半桥)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 7mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 7600pF @ 40V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 6.5nC @ 5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 5.5 毫欧 @ 20A,5V
供应商器件封装
*
功率 - 最大值
-
安装类型
*
封装/外壳
*
工作温度
*
漏源极电压(Vdss) 80V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 23A
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