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CTLDM303N-M832DS DKR-ND

型号 :
CTLDM303N-M832DS TR
制造商 :
Central Semiconductor Corp
简介 :
MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS
PDF :
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库存 :
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单价 :
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FET 功能 标准
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 590pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 13nC @ 4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 40 毫欧 @ 1.8A,4.5V
供应商器件封装 TLM832DS
功率 - 最大值 1.65W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-TDFN 裸露焊盘
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.6A
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