网站首页>产品>CTLDM304P-M832DS TR

CTLDM304P-M832DS CT-ND

型号 :
CTLDM304P-M832DS TR
制造商 :
Central Semiconductor Corp
简介 :
MOSFET 2P-CH 30V 4.2A TLM832DS
PDF :
PDF
库存 :
批量库存
单价 :
注册会员查看
数量 : 加入询价
FET 功能 标准
FET 类型 2 个 P 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 760pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 6.4nC @ 4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 70 毫欧 @ 4.2A,10V
供应商器件封装 TLM832DS
功率 - 最大值 1.65W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-TDFN 裸露焊盘
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.2A
没有评论
您可以在此与其他用户分享您的想法 ( 字数限制:不少于5个字符 )
您将以游客身份发表评论,如果您是本站会员,可以 [ 点此登录 ]  [ 点此注册 ]
收缩