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| FET 功能 | 标准 |
|---|---|
| FET 类型 | 3 N 沟道，共栅 |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） |
|
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） |
|
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 190 欧姆 @ 10mA，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 功率 - 最大值 | 1.3W |
| 安装类型 |
|
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 工作温度 | -20°C ~ 125°C（TJ） |
| 漏源极电压（Vdss） | 600V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 80mA |
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