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RGT30NS65DGTLDKR-ND

型号 :
RGT30NS65DGTL
制造商 :
Rohm Semiconductor
简介 :
IGBT 650V 30A 133W TO-263S
PDF :
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库存 :
批量库存
单价 :
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25°C 时 Td(开/关)值 18ns/64ns
IGBT 类型 沟槽型场截止
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 2.1V @ 15V,15A
供应商器件封装 LPDS(TO-263S)
功率 - 最大值 133W
反向恢复时间(trr) 55ns
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
开关能量
-
栅极电荷 32nC
测试条件 400V,15A,10 欧姆,15V
电压 - 集射极击穿(最大值) 650V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 30A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 45A
输入类型 标准
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