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GT10J312(Q)-ND

型号 :
GT10J312(Q)
制造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
简介 :
IGBT 600V 10A 60W TO220SM
PDF :
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库存 :
批量库存
单价 :
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25°C 时 Td(开/关)值 400ns/400ns
IGBT 类型
-
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 2.7V @ 15V,10A
供应商器件封装 TO-220SM
功率 - 最大值 60W
反向恢复时间(trr) 200ns
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
开关能量
-
栅极电荷
-
测试条件 300V,10A,100 欧姆,15V
电压 - 集射极击穿(最大值) 600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 10A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 20A
输入类型 标准
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