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GT8G133(TE12L,Q)-ND

型号 :
GT8G133(TE12L,Q)
制造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
简介 :
IGBT 400V 600MW 8TSSOP
PDF :
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库存 :
批量库存
单价 :
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数量 : 加入询价
25°C 时 Td(开/关)值 1.7µs/2µs
IGBT 类型
-
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 2.9V @ 4V,150A
供应商器件封装 8-TSSOP
功率 - 最大值 600mW
反向恢复时间(trr)
-
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
开关能量
-
栅极电荷
-
测试条件
-
电压 - 集射极击穿(最大值) 400V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
-
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 150A
输入类型 标准
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