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2SK880GRTE85LFCT-ND

型号 :
2SK880GRTE85LF
制造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
简介 :
JFET N-CH 50V 0.1W USM
PDF :
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库存 :
批量库存
单价 :
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数量 : 加入询价
FET 类型 N 沟道
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) 1.5V @ 100nA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 13pF @ 10V
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) 2.6mA @ 10V
供应商器件封装 SC-70
功率 - 最大值 100mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SC-70,SOT-323
漏极电流(Id) - 最大值
-
漏源极电压(Vdss)
-
电压 - 击穿(V(BR)GSS) 50V
电阻 - RDS(开)
-
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