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2SK208-R(TE85LF)CT-ND

型号 :: 2SK208-R(TE85L,F)

制造商 :: Toshiba Semiconductor and Storage

简介 :: MOSFET N-CH 50V S-MINI

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2SK208-R(TE85L,F)

FET 类型	N 沟道
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）	400mV @ 100nA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	8.2pF @ 10V
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）	300µA @ 10V
供应商器件封装	S-Mini
功率 - 最大值	100mW
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
漏极电流（Id） - 最大值	-
漏源极电压（Vdss）	-
电压 - 击穿（V（BR）GSS）	-
电阻 - RDS（开）	-

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