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NESG7030M04-A-ND

型号 :
NESG7030M04-A
制造商 :
CEL
简介 :
DISCRETE RF DIODE
PDF :
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库存 :
批量库存
单价 :
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不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 200 @ 5mA,2V
供应商器件封装 M04
功率 - 最大值 125mW
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz
增益 14dB ~ 21dB
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-343F
晶体管类型 NPN
电压 - 集射极击穿(最大值) 4.3V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 30mA
频率 - 跃迁 5.8GHz
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