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| 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 170mV @ 6mA，300mA / 230mV @ 10mA，300mA |
|---|---|
| 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） | 400 @ 100mA，2V / 200 @ 100mA，2V |
| 供应商器件封装 | VS-6（2.9x2.8） |
| 功率 - 最大值 | 400mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大值） | 1A，700mA |
| 频率 - 跃迁 |
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