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| 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 300mV @ 250µA，5mA |
|---|---|
| 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） | 120 @ 1mA，5V |
| 供应商器件封装 | US6 |
| 功率 - 最大值 | 200mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大值） | 100mA |
| 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） |
|
| 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） | 4.7k |
| 频率 - 跃迁 | 200MHz |
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